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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Compara
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
37
En -48% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.0
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
25
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
16.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3651
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
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