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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
37
左右 -48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
25
读取速度,GB/s
13.2
17.9
写入速度,GB/s
8.4
16.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
3651
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kllisre D4 8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT41GU6AFR8C-PB 8GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
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