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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Compara
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
37
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2863
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
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