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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Confronto
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Differenze
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.2
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
37
Velocità di lettura, GB/s
13.2
15.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2863
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
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