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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
37
En -9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.1
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
34
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
16.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3324
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
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