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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
37
En -61% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
23
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3011
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
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