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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
37
En -68% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
22
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2947
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
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