RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
37
Rund um -68% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
11.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
2947
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link