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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Compara
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
79
En 53% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
6.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
79
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
14.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
1330
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
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