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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
37
En -32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
28
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3085
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
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