RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Compara
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
37
En -48% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.3
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.3
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
25
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
18.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
16.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3849
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link