RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Compara
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.2
11.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
7.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
37
En -16% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
32
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
11.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
7.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2292
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link