RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Porównaj
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
11.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
37
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
11.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2292
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 2OZ 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link