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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Compara
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
37
En -3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.2
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
36
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
19.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3256
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
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