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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Compara
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.7
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
37
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
14.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
9.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2277
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
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