SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB

Puntuación global
star star star star star
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

Puntuación global
star star star star star
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    37 left arrow 44
    En 16% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    10.6 left arrow 9.8
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.8 left arrow 7.2
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 14900
    En 1.43 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    37 left arrow 44
  • Velocidad de lectura, GB/s
    9.8 left arrow 10.6
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.2 left arrow 8.8
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    14900 left arrow 21300
Other
  • Descripción
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2065 left arrow 2374
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones