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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
45
En 18% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
45
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2925
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
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