RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Compara
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
37
En -48% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
25
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2489
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link