RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Compara
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
41
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
35
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
19.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2176
3331
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R948G3206U2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link