RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Porównaj
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
41
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2176
3331
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
AMD R7416G2400U2S 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link