RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3257
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link