RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3257
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link