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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Compara
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
93
En 56% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
93
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2176
1670
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905624-045.A00G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
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