RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Comparar
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
93
Por volta de 56% menor latência
Razões a considerar
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
13.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
93
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
8.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2176
1670
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link