Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Pontuação geral
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Pontuação geral
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Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    52 left arrow 74
    Por volta de 30% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    13.6 left arrow 9.7
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    7.7 left arrow 7.2
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    21300 left arrow 14900
    Por volta de 1.43 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    52 left arrow 74
  • Velocidade de leitura, GB/s
    9.7 left arrow 13.6
  • Velocidade de escrita, GB/s
    7.2 left arrow 7.7
  • Largura de banda de memória, mbps
    14900 left arrow 21300
Other
  • Descrição
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2173 left arrow 1616
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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