Confronto tra le RAM Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Punteggio complessivo

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

52 74

Intorno 30% latenza inferiore

Motivi da considerare
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

13.6 9.7

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

7.7 7.2

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

21300 14900

Intorno 1.43 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock

9-10-9-28 / 1866 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2173 1616

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns