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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
41
En -21% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.9
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
34
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2176
2739
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
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