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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Compara
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
41
En -46% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
28
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2176
3143
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
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Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
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