RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
41
Rund um -46% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
13.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2176
3143
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD21G800816 1GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link