RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Comparar
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
41
Por volta de -46% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
28
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
13.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2176
3143
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link