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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
72
En 61% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
72
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
1728
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
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