RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
72
Autour de 61% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
8500
Autour de 2.26 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
72
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
19200
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
1728
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link