RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
72
Wokół strony 61% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
72
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
1728
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link