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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
28
En -40% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.6
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.5
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
20
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
19.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
3234
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
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