RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
28
Autour de -40% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.6
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.5
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
20
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
19.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
3234
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB Comparaison des RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Kingston KHX16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link