RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
28
Por volta de -40% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.6
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.5
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
20
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
19.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
15.5
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
3234
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB Comparações de RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link