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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Razones a tener en cuenta
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
3463
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
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