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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB

総合得点
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

総合得点
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Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB 考慮すべき理由
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.2 left arrow 12.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.2 left arrow 7.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 8500
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    12.7 left arrow 18.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.5 left arrow 14.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    8500 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1988 left arrow 3463

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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
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メモリRAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
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メモリRAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
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A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
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メモリRAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
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メモリRAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
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メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
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メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
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メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
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