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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
64
En 56% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.8
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
64
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
2065
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
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