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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
64
Por volta de 56% menor latência
Razões a considerar
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.6
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.8
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8500
Por volta de 2.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
64
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
8.8
Largura de banda de memória, mbps
8500
21300
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2065
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
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