RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
35
En 20% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.4
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.9
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
35
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
2452
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link