RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
35
Por volta de 20% menor latência
Razões a considerar
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.4
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.9
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8500
Por volta de 2.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
35
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
14.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
9.9
Largura de banda de memória, mbps
8500
21300
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2452
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT51264BF1339J.M8F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link