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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
52
En 46% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.7
10.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17500
8500
En 2.06 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
52
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
10.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17500
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
no data
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
2319
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
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