RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
52
Por volta de 46% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.7
10.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.2
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17500
8500
Por volta de 2.06 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
52
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
10.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
8.2
Largura de banda de memória, mbps
8500
17500
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
no data
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2319
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link