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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
52
Por volta de 46% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.7
10.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.2
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17500
8500
Por volta de 2.06 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
52
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
10.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
8.2
Largura de banda de memória, mbps
8500
17500
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
no data
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2319
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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