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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
52
Autour de 46% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.7
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.2
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17500
8500
Autour de 2.06 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
52
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
10.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17500
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
no data
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
2319
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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