RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
30
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
8500
En 3.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
25600
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
3026
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link