RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
30
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
8500
Около 3.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
16.0
Скорость записи, Гб/сек
7.5
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
25600
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
3026
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link