RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
8500
Wokół strony 3.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
25600
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3026
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link