RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
55
En 49% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
8500
En 3.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
55
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
25600
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
2701
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Mushkin 994083 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
‹
›
Informar de un error
×
Bug description
Source link