RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
55
Rund um 49% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
8500
Rund um 3.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
55
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
13.8
Speicherbandbreite, mbps
8500
25600
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
2701
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link